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报道:1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺
来源:华尔街见闻
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类型:快讯
状态:持续更新
快讯摘要
SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM,并应用于下一代高带宽内存,该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露,SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右,预计第三季度将升至24%左右,第四季度将达到34%...
快讯信息
- 快讯类型
- 突发事件
- 信息来源
- 华尔街见闻
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- 更新时间
- 2026-09-07 14:16
(来自华尔街见闻APP)。
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