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东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET
来源:华尔街见闻
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类型:快讯
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快讯摘要
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布,推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。 (来自华尔街见闻APP)。
快讯信息
- 快讯类型
- 突发事件
- 信息来源
- 华尔街见闻
- 当前状态
- 持续更新
- 更新时间
- 2026-08-10 02:39
(来自华尔街见闻APP)。
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