中金:SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级
快讯摘要
中金指出,在AI算力走向高密度、连续满载、强瞬态冲击之后,高压架构是数据中心供电系统发展的确定方向。在硬件技术进步推动下,2026年数据中心高压架构迎来落地元年。中金认为,SiC/GaN等核心第三代化合物半导体器件有望持续受益于数据中心电力相关系统升级,SiC有望统领机房侧(灰区)应用,而GaN有望在机柜内(白区)大规...
快讯信息
- 快讯类型
- 突发事件
- 信息来源
- 华尔街见闻
- 当前状态
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- 更新时间
- 2026-08-11 17:37

