我国成功研制出三维多层片上电容 可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片
快讯摘要
从湖北江城实验室了解到,该实验室近期在电容关键技术上取得重大突破,成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接应用于AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片,支撑高算力、低功耗芯片研发。目前,相关技术正在开展工艺流片及小批量试产,将在先进封装领域实现规模化应用。(上证报) (来自华尔街见...
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