新型高性能二维半导体材料研发获突破
快讯摘要
近日,国防科技大学和中国科学院金属研究所联合研究团队在新型高性能二维半导体晶圆级生长和可控掺杂领域取得重要突破,有望为后摩尔时代自主可控的芯片技术提供关键材料和器件支撑。相关成果近日在线发表于国际顶级期刊《国家科学评论》。(科技日报) (来自华尔街见闻APP)。
快讯信息
- 事件国家
- 中国
- 快讯类型
- 突发事件
- 信息来源
- 华尔街见闻
- 当前状态
- 持续更新
- 更新时间
- 2026-07-08 03:52
来源归属
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